[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-P7-10] TiSi_{2(/sub)電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化}

^○岡本真里¹，松川佳弘¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，岩井洋¹，若林整²，筒井一生¹，齋藤渉³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝セミコンダクター&ストレージ社³)

キーワード：AlGaN GaN specific contact