[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-P7-11] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による2次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性

^○神谷真行¹，寺山一真¹，武井優典¹，齋藤渉²，角嶋邦之¹，若林整¹，片岡好則¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社²)

キーワード：GaN,コンタクト,2次元電子ガス