[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-B5-21] 窒化物半導体を用いたHFET型光センサーの暗電流検討

^○石黒真未¹，池田和弥¹，水野正隆¹，村瀬卓弥¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤崎勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤崎記念研究センター²)

キーワード：受光素子