[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-3] 酸性アモノサーマル法によるGaN結晶育成と鉱化剤の影響

^○包全喜^1,3，斉藤真^1,2，冨田大輔¹，羽豆耕治¹，古澤健太郎¹，鏡谷勇二²，茅野林造³，喬焜¹，石黒徹¹，横山千昭¹，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²，日本製鋼所³)

キーワード：GaN,結晶成長,アモノサーマル