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[27a-PB4-1~25] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:30 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27a-PB4-1] 酸化物半導体の電気的、光学的特性評価(III)-IGZO 薄膜におけるアニール条件と光伝導性の相関- (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○岸智弥，日野綾，森田晋也，小坂修司，林和志，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

[27a-PB4-2] IGZO薄膜を用いたトラップ準位の研究（2） (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○小坂修司¹，田尾博昭¹，森田晋也¹，日野綾¹，安野聡²，岸智弥¹，林和志¹，釘宮敏洋¹ (神戸製鋼所¹，コベルコ科研²)

[27a-PB4-3] IGZO結晶粉末中にプラズマによって生成される格子欠陥の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○松田時宜^1,2，西本大樹¹，高橋宏太¹，植野大貴¹，木村睦^1,2 (龍大理工¹，龍大科技研センター²)

[27a-PB4-4] アモルファスIGZOデバイス試作のためのドライエッチングプロセス (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○清水貴思 (産総研ナノエレ)

[27a-PB4-5] ZnO-SnO₂薄膜を用いたTFTの低温形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐藤和郎，山田義春，村上修一，筧芳治，櫻井芳昭 (大阪府立産技研)

[27a-PB4-6] 電界下結晶化ゾル―ゲルZnO膜を活性層に用いた薄膜トランジスタ (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○柏谷将樹 (秋田大システム科学)

[27a-PB4-7] マグネトロンスパッタ装置により形成されたＺｎＯ透明導電膜の表面形態と結晶構造 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山本直樹，森澤桐彦 (高知工科大)

[27a-PB4-8] 水溶液プロセスによる Ga 添加 ZnO エピタキシャル膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○三宅正男，福井宏史，土井俊哉，平藤哲司 (京大エネ科)

[27a-PB4-9] 金属薄膜上に成膜したZnO系薄膜の特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）平野貴大¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

[27a-PB4-10] ITO薄膜にAg層を導入したITO/Ag/ITO多層膜の特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）桂田善央¹，下村宏貴¹，景山豪¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，兵庫技工セ²)

[27a-PB4-11] 反応性DCスパッタリング法によるPETフィルム上へのZnO薄膜の室温成膜 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○木村亮太¹，西垣宏¹，蓮池紀幸¹，金廷坤¹，山本拓志¹，出原康平¹，一色俊之¹，木曽田賢治²，播磨弘¹ (京都工芸繊維大¹，和歌山大²)

[27a-PB4-12] ポリマーフィルム上に作製されたZnO薄膜の構造解析 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山本拓志，出原康平，西垣宏，木村亮太，蓮池紀幸，播磨弘，一色俊之 (京都工芸繊維大)

[27a-PB4-13] 分子プレカーサー法を用いたGa-In-O薄膜の製作 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○安野泰平，小田拓人，永井裕己，原広樹，佐藤光史，本田徹 (工学院大)

[27a-PB4-14] MgZnO/ZnOヘテロ構造の作製と自発分極によるMg濃度分布の再構成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○今坂光太郎¹，ジョセフフォルソン¹，塚崎敦^2,3，小塚裕介¹，川崎雅司¹ (東大院工¹，東大新領域²，JSTさきがけ³)

[27a-PB4-15] 溶液成長法によるCu-O及びZnO薄膜の低温成長とpnヘテロ接合形成の試み (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）北峯誠之¹，村上聡宏²，篠原悠彰¹，寺迫智昭²，宮田晃¹，白方祥² (愛媛大工¹，愛媛大院理工²)

[27a-PB4-16] △基板高速回転型MOCVDによる高品質ZnO薄膜の成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○平儀野雄斗¹，古林寛²，森山恭多¹，藤田恭久¹ (島根大院総理¹，島根大プロジェクト研究推進機構²)

[27a-PB4-17] MeCp2Mgを用いたMgZnO薄膜のRPE-MOCVD成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）大村信亮¹，Sanjay Mohanta²，中村篤志²，天明二郎^1,2 (静岡大工¹，静岡大電研²)

[27a-PB4-18] 電着法を用いたn 型GaN 表面上への酸化亜鉛の厚膜作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

妻神光輝，池上潤平，^○宇野和行，田中一郎 (和大システム工)

[27a-PB4-19] △酸化亜鉛ナノ粒子塗布型紫外線発光ダイオードにおけるn型ZnO薄膜と基板 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○森山恭多¹，Wan Mohd Hafizuddin Bin Wan Mansor¹，上代宏樹¹，古林寛²，橋本英樹²，藤田恭久¹ (島根大院総理¹，島根大プロジェクト研究推進機構²)

[27a-PB4-20] 大気圧CVD法及びイオンプレーティング法により作製したGa添加ZnO薄膜のフォトルミネッセンス及びフォトルミネッセンス励起スペクトル (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○寺迫智昭¹，藤本翔平¹，小倉佳典¹，宋華平²，牧野久雄²，矢木正和³，白方祥¹，山本哲也² (愛媛大院理工¹，高知工科大総研²，香川高専³)

[27a-PB4-21] 放射光X線吸収によるZnMgO薄膜の局所構造 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○尾形健一¹，Michał Kozub²，小池一歩¹，佐々誠彦¹，井上正崇¹，矢野満明¹，為則雄祐³ (大阪工大ナノ材研¹，ブロツワフ工大物理研²，高輝度光科学研究セ³)

[27a-PB4-22] 極低温ナノプローブCL法によるZnOナノワイヤの光学・電気特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（P）渡辺健太郎^1,2，ヤノシュフォルク³，呉承俊¹，長田貴弘¹，若山裕¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，ハンガリー科学アカデミー³)

[27a-PB4-23] ゼータ電位測定法による ZnO 薄膜の極性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（PC）古林寛¹，平儀野雄斗²，橋本英樹¹，藤田恭久² (島根大プロジェクト¹，島根大院総理²)

[27a-PB4-24] RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInONの作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）松島宏一¹，桑原和成¹，廣瀬忠史¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九大¹，JSTさきがけ²)

[27a-PB4-25] NbドープTiO₂薄膜における結晶粒成長の基板依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○井上創太，一柳成治，舩木修平，山田容士 (島大総理工)

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