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シンポジウム » ・SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線　-広範な実用化を展望し、残された課題を探る-

[27p-G22-1~10] SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線　-広範な実用化を展望し、残された課題を探る-

2013年3月27日(水) 13:00 〜 18:00 G22 (B5号館 4F-2406)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-G22-1] パワー半導体SiCの進展と将来（15分） (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○松波弘之 (京大工)

[27p-G22-2] SiC単結晶基板の開発動向（30分） (1:15 PM ～ 1:45 PM)

^○藤本辰雄 (新日鐵住金)

[27p-G22-3] SiCエピタキシャルウェハの生産技術開発（30分） (1:45 PM ～ 2:15 PM)

^○佐藤貴幸 (昭和電工)

[27p-G22-4] 低オン抵抗SiCトレンチパワーMOSFETの開発（30分） (2:15 PM ～ 2:45 PM)

^○中村孝，中野佑紀，花田俊雄 (ローム)

[27p-G22-5] 高性能JFETの開発（30分） (2:45 PM ～ 3:15 PM)

^○横山夏樹，清水悠佳，秋山悟 (日立中研)

[27p-G22-5.1] 休憩(15分)

[27p-G22-6] さらなる小型化・高効率化を実現したＳｉＣデバイス搭載のパワエレ装置（30分） (3:30 PM ～ 4:00 PM)

^○松本康 (富士電機)

[27p-G22-7] 高パワー密度SiCインバータ開発（30分） (4:00 PM ～ 4:30 PM)

^○松井康平^1,2，佐々木健介^1,3，谷本智^1,3，村上義則^1,3，谷澤秀和^1,4，佐藤伸二^1,4 (技術研究組次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構¹，富士電機²，日産自動車³，サンケン電気⁴)

[27p-G22-8] 車載用SiCパワーデバイス開発の現状と課題（30分） (4:30 PM ～ 5:00 PM)

^○鶴田和弘 (デンソー)

[27p-G22-9] SiCパワーデバイスのインバータ機器適用（30分） (5:00 PM ～ 5:30 PM)

^○中山靖，今泉昌之，木ノ内伸一，大井健史 (三菱電機　先端総研)

[27p-G22-10] 鉄道におけるパワーエレクトロニクス応用の未来と課題（30分） (5:30 PM ～ 6:00 PM)

^○正田英介 (鉄道総合技術研究所)