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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28a-G11-1~9] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月28日(木) 10:00 〜 12:30 G11 (B5号館 2F-2205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G11-1] ガス添加機能水を用いたGaN表面洗浄の検討 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○辻幸洋^1,2，中村健一^1,2，眞壁勇夫¹，中田健¹，勝山造¹，寺本章伸²，白井泰雪²，須川成利²，大見忠弘² (住友電工¹，東北大²)

[28a-G11-2] ALD-Al₂O₃/InAlN 界面に対する熱処理の効果 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○中野拓真，赤澤正道 (北大量集センター)

[28a-G11-3] ドライエッチングがAlGaN/GaN MOS構造の界面に与える影響 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○谷田部然治¹，堀祐臣¹，馬万程¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター情報科学研究科¹，JST-CREST²)

[28a-G11-4] △AlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性とヘテロMOS界面評価 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○堀祐臣¹，谷田部然治¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

[28a-G11-5] 緩衝層がGaN接合特性に与える影響 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○馬万程¹，堀祐臣¹，谷田部然治¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター　情報科学研究科¹，JST-CREST²)

[28a-G11-5.1] 休憩(15分)

[28a-G11-6] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○塩島謙次¹，木原雄平¹，青木俊周¹，金田直樹²，三島友義² (福井大院工¹，日立電線²)

[28a-G11-7] △MOCVD n-GaN の正孔トラップの評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（M1）Zecheng Liu¹，曹佳棟¹，石川健治¹，堀勝¹，松村俊哉²，阿比留明洋²，小島旭²，本田銀熙²，徳田豊²，上田博之³，成田哲生³，上杉勉³，加地徹³ (名大工¹，愛知工大²，豊田中研³)

[28a-G11-8] △TLM法による非線形性を有する電極/p型GaNの電流－電圧特性の評価 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○（B）尹載浩¹，木本恒暢²，須田淳²，栗原香³，長尾哲³ (京大工¹，京大院工²，三菱化学³)

[28a-G11-9] △低Mg ドープp-GaN ショットキー接触の交流動作 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○青木俊周¹，金田直樹²，三島友義²，塩島謙次¹ (福井大院工¹，日立電線²)