[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:15 G2 (B5号館 1F-2102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[28a-G2-1] △硝酸酸化(NAOS)法によるSiO₂薄膜の改質:恒久保存メモリへの応用 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○赤井智喜，松本健俊，今井繁規，小林光 (阪大産研)

^○（M2）伊藤寿¹，桑原卓哉¹，石川岳志¹，樋口祐次¹，尾澤伸樹¹，寒川誠二²，久保百司¹ (東北大院工¹，東北大流体研²)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，室隆桂之²，木下豊彦²，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，室隆桂之²，木下豊彦²，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，大見忠弘¹，室隆桂之²，木下豊彦²，永田晃基³，小椋厚志³，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²，明大理工³)

^○（M1C）韓在勲¹，張睿¹，長田剛規²，秦雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

^○岩井貴雅，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

^○加藤公彦^1,2，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

木村将之¹，^○生田目俊秀²，山田博之¹，大井暁彦²，成島利弘²，知京豊裕²，大石知司¹ (芝浦工大¹，物材機構²)

^○（PC）Wipakorn Jevasuwan，Tatsuro Maeda，Noriyuki Miyata，Minoru Oda，Toshifumi Irisawa，Tsutomu Tezuka，Tetsuji Yasuda (GNC-AIST)

^○（B）後藤高寛^1,2，原紳介¹，藤代博記¹，小倉睦郎²，安田哲二²，前田辰郎² (東理大基礎工¹，産総研²)

^○（PC）横山正史¹，朝倉佑吏¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大工¹，NTTフォトニクス研²)