[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:45 G11 (B5号館 2F-2205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G11-0] 昼食(90分)

[28p-G11-1] 高誘電率パシベーション膜を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧向上の解析 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○塙秀之，中島敦，堀尾和重 (芝浦工大システム工)

[28p-G11-2] GaNバイポーラ素子の電流／電圧特性シミュレーション向け実効アクセプタ準位の提案 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○望月和浩¹，三島友義²，石田祐也³，畠山義智³，野本一貴³，金田直樹²，土屋忠厳²，寺野昭久¹，土屋朋信¹，内山博幸¹，田中滋久¹，中村徹³ (日立¹，日立電線²，法政大³)

[28p-G11-3] リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN Open-Gate HFETの高温特性 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○前田就彦¹，廣木正伸²，佐々木智²，原田裕一² (NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研²)

[28p-G11-4] 窒素イオン注入によるp-GaN基板上MISFETの素子分離と特性評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○葛西駿¹，小川弘貴¹，葛西武²，中村徹¹ (法政大¹，ケミトロニクス²)

[28p-G11-5] 金属ゲートイオン注入GaN MISFETに関する研究 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○（M1C）小川弘貴¹，葛西駿¹，葛西武²，中村徹¹ (法政大¹，ケミトロニクス²)

[28p-G11-6] ▲Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○Ying Jiang^1,2，Qingpeng Wang^1,2，Kentaro Tamai¹，Satoko Shinkai³，Takahiro Miyashita⁴，Shin-Ichi Motoyama⁴，Dejun Wang²，Jin-Ping Ao¹，Yasuo Ohno¹ (The Univ. of Tokushima¹，Dalian Univ. of Tech.²，Kyushu Inst. of Tech.³，SAMCO Inc.⁴)

[28p-G11-7] La₂O₃ゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaNデバイスの熱処理温度依存性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○鹿国強¹，陳江寧¹，角嶋邦之²，アヘメトパールハット¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

[28p-G11-8] ALDにより成膜したAl₂O₃を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（B）吉田雄祐，岩田康宏，ジョセフフリーズマン，久保俊晴，江川孝志 (名工大)

[28p-G11-9] AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果における光照射・温度の影響 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

木尾勇介，井川祐介，敖金平，^○大野泰夫 (徳島大)

[28p-G11-10] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤聡^1,2，笠松章史¹，三村高志^1,2 (情報通信研究機構¹，富士通研²)

[28p-G11-10.1] 休憩(15分)

[28p-G11-11] △トレンチ型SiC MOSFETにおけるゲート絶縁膜への窒化の効果 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○有吉恵子^1,2，原田信介^1,3，先崎純寿^1,3，小島貴仁^1,4，児島一聡^1,3，田中保宜^1,3，四戸孝^1,2 (FUPET¹，東芝²，産業技術総合研究所³，富士電機⁴)

[28p-G11-12] △GaInNトンネル接合素子の低抵抗化 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（M1）森田隆敏¹，加賀充¹，桑野侑香¹，松井健城¹，渡邉雅大¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名古屋大²)

[28p-G11-13] △β-Ga₂O₃ホモエピタキシャルMBE成長における成長温度依存性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○佐々木公平^1,2，東脇正高^2,3，倉又朗人¹，増井建和⁴，山腰茂伸¹ (タムラ製作所¹，情通機構²，JSTさきがけ³，光波⁴)

[28p-G11-14] Snイオン注入を用いたβ-Ga₂O₃へのオーミックコンタクト形成 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○佐々木公平^1,2，東脇正高^2,3，倉又朗人¹，増井建和⁴，山腰茂伸¹ (タムラ製作所¹，情通機構²，JSTさきがけ³，光波⁴)

[28p-G11-15] Al₂O₃/n-Ga₂O₃ MOSダイオード (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○東脇正高^1,2，キルシナムルティダイワシガマニ¹，佐々木公平^1,3，倉又朗人³，増井建和⁴，山腰茂伸³ (情通機構¹，JSTさきがけ²，タムラ製作所³，光波⁴)

[28p-G11-16] ▲Oxide Thickness Dependency on Threshold Voltage of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○(D)Qingpeng Wang^1,2，Ying Jiang^1,2，Kentaro Tamai¹，Takahiro Miyashita³，Shin-ichi Motoyama³，Dejun Wang²，Jin-Ping Ao¹，Yasuo Ohno¹ (The Univ. of Tokushima¹，Dalian Univ. of Tech.²，SAMCO Inc.³)

[28p-G11-17] InAlNスペーサを用いたAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的特性評価 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○森健太郎，渡邉新，伊藤達也，江川孝志 (名工大院)

[28p-G11-18] 酸化物半導体を用いたノーマリーオフの低コストパワー電界効果トランジスタの2Dデバイスシミュレーション (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○Satoshi Kobayashi (リクルート)

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