[29a-A3-1~7] 16.2 プロセス技術・デバイス

2013年3月29日(金) 10:15 〜 12:00 A3 (K1号館 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[29a-A3-1] II型Geクラスレートのエピタキシャル薄膜 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○野口明宏，服部真嗣，杉山智哉，岩井義樹，小倉拓也，大橋史隆，伴隆幸，久米徹二，野々村修一 (岐阜大)

^○砂場昭吾，後藤康兵，姫野呂人，小倉拓也，大橋史隆，久米徹二，伴隆幸，山家光男，野々村修一 (岐阜大)

五十川貴之，^○中村優平，山田雄太，木下潤一，古川昭雄 (東理大理工)

木下潤一，竹内諒，中村優平，^○古川昭雄 (東理大院理工)

^○酒池耕平，小林義崇，中村将吾，林将平，赤澤宗樹，森崎誠司，東清一郎 (広大院先端研)

^○浦川哲¹，笘井重和²，上岡義弘¹，山﨑はるか¹，笠見雅司²，矢野公規²，Wang Dapeng³，古田守³，堀田昌宏^1,4，石河泰明^1,4，浦岡行治^1,4 (奈良先端大¹，出光興産²，高知工科大³，CREST⁴)

^○浦川哲¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)