セッション情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 G11 (B5号館 2F-2205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29a-G11-1] 表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○梁剣波，宮崎達也，西田将太，森本雅史，重川直輝 (大阪市立大)

[29a-G11-2] Si基板上InGaAs-MOSFETの微細化に関する研究 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○加藤淳，米内義晴，金澤徹，宮本恭幸 (東工大院理工)

[29a-G11-3] △二次元電子ガスのエネルギー状態の解析結果と実測値の比較 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○西尾結，丹下貴博，市川有保，平山尚美，飯田努，高梨良文 (東理大)

[29a-G11-4] InSb/Al_0.25In_0.75Sb HEMTの作製及び特性評価 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○高橋維¹，小畑卓也¹，古仲佑太朗¹，高木裕介¹，原紳介¹，藤代博記¹，渡邊一世²，山下良美²，遠藤聡²，笠松章史² (東理大院基礎工¹，情通機構²)

[29a-G11-5] 耐圧(BV_CEO)12Vかつf_max=370GHzを有する0.25μm InP/InGaAs DHBT (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○柏尾典秀，栗島賢二，井田実 (NTTフォトニクス研)

[29a-G11-6] △歪GaAsスペーサ層を有するMOCVD成長GaAsSbベースHBTの電気特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○星拓也，柏尾典秀，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

[29a-G11-7] △多層SiCN鋳型による50nm級T型ゲートInGaAsHEMTの作製 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○吉田智洋，小林健悟，尾辻泰一，末光哲也 (東北大通研)

[29a-G11-8] △GaAs系デバイスにおける裏面Cuめっき技術 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○津波大介，西沢弘一郎，志賀俊彦，奥友希，竹見政義 (三菱電機)