[29p-F1-1~17] 6.4 薄膜新材料

2013年3月29日(金) 14:00 〜 18:45 F1 (E3号館 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-F1-0] Lunch(60min)

[29p-F1-1] ▲「Invited lecture in Thin Films and Surfaces session」（30min）Introduction of Nanodefects in YBCO Films by Ion-milling Through Anodic Aluminum Oxide Templates (2:00 PM ～ 2:30 PM)

^○Katherine Develos Bagarinao¹, Hiroaki Matsui¹, Iwao Yamaguchi¹, Stuart Wimbush², Judith MacManus-Driscoll² (AIST¹, Univ. of Cambridge²)

[29p-F1-2] ▲Morphology Control of P3HT:PCBM Blend Films Deposited by Electrospray Using High-Voltage Pulse (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○Yingjie Liao¹, Takeshi Fukuda¹, Norihiko Kamata¹ (Saitama University¹)

[29p-F1-3] ▲In Situ Monitoring of Thermal Radiation of Tin-Doped Indium Oxide Thin Films Under Excimer Laser Irradiation (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○Kentaro Shinoda¹, Tomohiko Nakajima¹, Tetsuo Tsuchiya¹ (AIST¹)

[29p-F1-4] ▼New material thin film (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○Tu Tran Uyen Le¹, Akira Sasahara¹, Masahiko Tomitori¹ (Jaist¹)

[29p-F1-5] ▼New Passivation Material for a-IGZO thin film transistor (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○（D）Juan-Paolo Bermundo¹, Yasuaki Ishikawa¹, Haruka Yamazaki¹, Toshiaki Nonaka², Yukiharu Uraoka¹ (Nara Institute of Science and Technology¹, AZ Electronic Materials Manufacturing Japan K.K.²)

[29p-F1-6] ▼Growth of Morphology-Controlled Ga₂O₃ Nanowires by High Temperature Glancing Angle Deposition (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○Haruhiko Minamitake¹, Motofumi Suzuki¹, Kaoru Nakajima¹, Kenji Kimura¹, Chia-Wei Hsu², Li-Jen Chou² (Kyoto Univ.¹, National Tsing-Hua Univ.²)

[29p-F1-7] △化学気相堆積法を用いたSi基板上へのc-BN薄膜成長 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○小林正典¹，宮下英俊²，小野崇人¹ (Tohoku Univ.¹，Tottori Univ.²)

[29p-F1-7.1] 休憩(15分)

[29p-F1-8] コプラナー型沿面放電による磁場下での酸化スズ膜の形成 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

花井利通，伊豫田正彦，鍋田圭吾，^○奥谷昌之 (静岡大工)

[29p-F1-9] 沿面放電による常温・大気圧下での酸化スズ薄膜の作製 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○丹祐人，花井利通，伊豫田正彦，奥谷昌之 (静岡大)

[29p-F1-10] ナトリウムとスズを含むリン酸ガラス系透明導電膜の作製と特性評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○熊崎悠介 (中部大)

[29p-F1-11] Mg-C粉末を混合させた新規透明膜の作製と評価 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○岡威樹¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

[29p-F1-12] Mg-Y調光ミラーの調光特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○山田保誠，三浦真由，田嶌一樹，岡田昌久，吉村和記 (産総研)

[29p-F1-13] 面内方向に格子拡張したPd(111)/Ag(111)薄膜に特有な水素吸蔵・脱離 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○中島翔，青木悠樹，中辻寛，平山博之 (東工大総理工)

[29p-F1-14] GaN(0001)表面上へのCo薄膜の成長とその評価 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○山口明哲¹，米岡賢²，Bin Hasbi Nurassyakirin³，長谷川繁彦⁴ (阪大産研¹，阪大産研²，阪大産研³，阪大産研⁴)

[29p-F1-15] 立方晶系La(Sr)MnO₃/六方晶系ZnOのヘテロ構造の作成とp-n接合特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○（M1）岡田聡¹，與倉三好^1,2，稲葉克彦³，小林信太郎³，岩田展幸⁴，Philip Reji⁵，Kai Liu⁶，Jayan Thomas⁷，有沢俊一⁸，遠藤民夫¹ (三重大¹，アドウェル研究所²，リガク³，日大⁴，Raman Res. Inst .(インド)⁵，U. California-Davis (USA)⁶，U. Central Florida⁷，NIMS⁸)

[29p-F1-16] (111)相LSMO/(001)ZnO積層膜の格子マッチング計算(界面歪みエネルギーとクーロン極性エネルギー) (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○森俊貴¹，岡本晃暢¹，岡田聡¹，與倉三好^1,2，Rita John³，毛塚博史⁴，庭野一久⁵，本林秀文⁶，遠藤民生¹ (三重大工¹，アドウェル²，マドラス大³，東京工科大⁴，タテホ化学⁵，豊島製作所⁶)

[29p-F1-17] プラズマ照射PETの表面化学結合状態の変化：FTIR吸収による解析 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○花田和哉¹，上原賢一²，與倉三好^1,2，永島正嗣³，松井正仁¹，中村裕一¹，遠藤和弘⁴，遠藤民生¹ (三重大¹，アドウェル²，エステック³，金沢工大⁴)

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