[29p-G21-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月29日(金) 13:00 〜 19:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G21-0] 昼食(60分)

[29p-G21-1] 「第3回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演」（30分）
III-V族半導体における規則性、不規則性の究明とその応用に関する研究 (1:00 PM ～ 1:30 PM)

^○佐々木昭夫^1,2 (京大¹，大阪電気通信大²)

[29p-G21-2] Si添加Al_0.6Ga_0.4N混晶薄膜の時間分解カソードルミネッセンス評価 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○羽豆耕治¹，石川陽一¹，田代公則¹，古澤健太郎¹，三宅秀人²，平松和政²，上殿明良³，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三重大院工²，筑波大院数物³)

[29p-G21-3] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○（DC）大音隆男，ライアンバナル，船戸充，川上養一 (京大院工)

[29p-G21-4] △共焦点顕微鏡による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸のPLマッピング (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○岩田佳也¹，金田昭男¹，ライアンバナル²，船戸充¹，川上養一¹ (京大院工¹，NTT研²)

[29p-G21-5] ▼Improved Emission Properties of AlGaN Quantum Wells by Non-polar Plane (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○Ryan Banal，谷保芳孝，山本秀樹 (ＮＴＴ　物性研)

[29p-G21-6] AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○石井良太，船戸充，川上養一 (京大院・工)

[29p-G21-7] MBE成長In-rich In_xAl_1-xN混晶フォノンのラマン散乱評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○（M1）小池隆¹，金廷坤¹，中西晋一¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹，兒玉賢治³，橋本明弘³，山本暠勇³ (京工繊大¹，和大²，福井大³)

[29p-G21-7.1] 休憩(15分)

[29p-G21-8] 深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○豊田史朗^1,2，富田優志^1,2，藤川紗千恵²，鎌田憲彦^1,2，平山秀樹^1,2 (理研¹，埼玉大²)

[29p-G21-9] 結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○富田優志^1,2，豊田史朗^1,2，藤川紗千恵²，鎌田憲彦¹，平山秀樹^1,2 (埼玉大¹，理研²)

[29p-G21-10] △350nm紫外LEDの光取り出し効率の向上 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（M1）中嶋翼¹，竹田健一郎¹，新里紘史¹，岩谷素顕¹，上山智¹，竹内哲也¹，赤﨑勇^1,3，天野浩^2,3 (名城大理工¹，名大院工²，名大赤﨑記念研究センター³)

[29p-G21-11] △モスアイ加工サファイア基板によるLEDの光取り出し効率の改善 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○（M1）土屋貴義¹，梅田慎也¹，曽和美保子¹，河合俊介¹，近藤俊行²，北野司²，森みどり²，鈴木敦志²，赤﨑勇^1,4，関根均³，難波江宏一²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹ (名城大・理工¹，エルシード²，DIC³，名古屋大・赤﨑記念研⁴)

[29p-G21-12] △電子ブロック層上活性層による電子オーバーフローの直接観測 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（B）林健人¹，松井健城¹，森田隆敏¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

[29p-G21-13] △横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○（M1）桑野侑香¹，加賀充¹，森田隆敏¹，山下浩司¹，南川大智¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大,赤﨑記念研究センター²)

[29p-G21-14] InGaN系発光ダイオードの効率改善 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○Haziq Muhammad，弘田雄太郎，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[29p-G21-15] △半極性面 {11-22} InGaN下地層を用いたLEDにおける下地層膜厚依存性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○中尾洸太，三好清太，内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

[29p-G21-15.1] 休憩(15分)

[29p-G21-16] △窒化物半導体二波長発光ダイオードにおける発光強度比の安定性 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○松井健城¹，山下浩司¹，加賀充¹，森田隆敏¹，鈴木智行¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

[29p-G21-17] Mg共添加GaN:Euを活性層としたLEDの発光出力向上 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○松村亮太¹，大谷龍輝¹，関口寛人¹，高木康文²，岡田浩¹，若原昭浩¹ (豊橋技科大¹，浜松ホトニクス²)

[29p-G21-18] c面サファイア上に成長した黄緑色ＬＥＤの高効率化 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○黄鐘日，橋本玲，齋藤真司，布上真也 (東芝　研究開発センター)

[29p-G21-19] MeTRe 法剥離による極薄 GaN 系素子の作製 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○廣木正伸，熊倉一英，小林康之，赤坂哲也，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

[29p-G21-20] High-optical-confinement LDs using AlInN/GaN lattice-matched heterostructures (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○谷保芳孝^{1, 2}，Jean-François Carlin²，Antonino Castiglia²，Raphaël Butté²，Nicolas Grandjean² (NTT物性研¹，EPFL²)

[29p-G21-21] 窒化物半導体ライトエミッティングトランジスタの光出力特性 (6:45 PM ～ 7:00 PM)

^○熊倉一英，山本秀樹，牧本俊樹 (NTT物性研)

セッション情報

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