[27a-G12-1~11] 17.2 構造制御・プロセス

[27a-G12-6] △SiC上グラフェン架橋構造作製のための電解エッチング条件の検討 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（D）呉龍錫^1,2，高村真琴¹，古川一暁¹，永瀬雅夫²，日比野浩樹¹ (NTT物性基礎研¹，徳島大工²)

キーワード：グラフェン、エッチング