[27a-G20-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27a-G20-2] カーボン・サブ単原子バッファ層を用いたSi基板上のGeドットの形成に関する検討 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○畠山真慈¹，伊藤友樹¹，松尾拓哉²，鷲尾勝由² (東北大工¹，東北大院工²)

キーワード：Ge、ドット