[27p-A3-1~17] 8.4 プラズマエッチング

[27p-A3-7] H₂/N₂プラズマ中のラジカル密度へ前のプロセスが与える影響とその制御 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○鈴木俊哉¹，竹田圭吾^1,2，近藤博基¹，石川健治¹，関根誠^1,2，堀勝^1,2 (名大院工¹，JST-CREST²)

キーワード：半導体、プラズマ、制御