[27p-A6-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[27p-A6-10] △Al₂O₃ パッシベーションを施した水素終端ダイヤモンドMOSFET の400℃動作特性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○坪井秀俊，成尾智也，大長央，斉藤達也，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

キーワード：ダイヤモンド、水素終端、MOSFET