[27p-A7-1~17] 8.3 プラズマ成膜･表面処理

[27p-A7-11] ▼Study on mechanism of gallium nitride growth employing a plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（D）Yi Lu，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)

キーワード：PECVD、gallium nitride