[27p-F2-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27p-F2-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
BiFeO₃強誘電抵抗変化メモリにおける界面電子構造に基づいた動作特性の制御 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○福地厚，山田浩之，澤彰仁 (産総研)

キーワード：抵抗スイッチング、強誘電体、ReRAM