[27p-F2-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27p-F2-4] △金属酸化物の抵抗スイッチング現象における電極の役割 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○高相圭¹，木下健太郎^1,2，福原貴博¹，岸田悟^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM、抵抗変化型メモリ、AFM