[27p-G19-1~9] 15.2 II-VI族結晶

[27p-G19-6] 近接昇華法による各種面方位サファイア基板上のAgGaTe₂作製 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○宇留野彩¹，小林正和^1,2 (早大先進理工¹，早大材研²)

キーワード：近接昇華法、カルコパイライト、サファイア