[27p-G20-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27p-G20-2] 過飽和制御Al誘起成長による多結晶Ge/非晶質基板の極低温形成 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院　電・物専攻¹，東北大　金研²，JST-CREST³)

キーワード：Ge、Al誘起成長