[27p-G20-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27p-G20-8] ナノワイヤー化によるGOI(111)溶融成長の結晶方位安定化 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○牟田俊平，高橋雅尚，モハマド アニスッザマン，宮尾正信，佐道泰造 (九大・院システム情報)

キーワード：Ge-on-Insulator、Rapid melting growth