[27p-G20-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27p-G20-9] SiGeミキシング誘起溶融成長法における成長速度の解析―電気的特性の横方向分布との相関― (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○松村亮¹，東條友樹¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹ (九大・院システム情報¹，学振特別研究員²)

キーワード：SiGe、偏析、SGOI