[27p-G21-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[27p-G21-11] アニール後の低温AlNバッファ層の結晶島密度とGaN成長層の結晶品質 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○奥野浩司^1,2，小塩高英²，柴田直樹²，本田善央¹，山口雅史¹，田中成泰¹，天野浩¹ (名大院工¹，豊田合成²)

キーワード：AlN buffer、GaN、island density