[27p-G21-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[27p-G21-13] △Inサーファクタントによる(0001)GaNのMOVPE成長におけるステップフロー成長の促進 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○（B）逢坂崇¹，谷川智之^1,2，正直花奈子¹，木村健司^1,2，岩渕拓也¹，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²)

キーワード：窒化物半導体、サーファクタント、GaN