[27p-G21-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[27p-G21-6] ▲Si (111)基板上GaN成長のin-situ観察によるGaN膜厚最適化
GaN thickness optimization by in-situ observation of GaN growth on Si (111) (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○劉才¹，ハッサネット ソダーバンル¹，杉山正和²，中野義昭^{1, 2} (東大先端研¹，東大院工²)

キーワード：GaN on Si、in-situ observation