[27p-G21-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[27p-G21-7] △Si基板上GaNにおけるAlGaN/AlN中間層による貫通転位の低減 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○吉田学史，彦坂年輝，杉山直治，布上真也 (東芝研究開発センター)

キーワード：窒化物半導体，GaN，Si基板，転位密度