[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-1] GaN系材料表面・界面評価の進展 ～基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ～（5分） (1:40 PM ～ 1:45 PM)

^○塩島謙次¹，中村成志² (福井大院工¹，首都大東京²)

キーワード：GaN、結晶欠陥、電極界面