[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-11] △ALD-Al₂O₃を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○尾崎史朗，多木俊裕，金村雅仁，今田忠紘，中村哲一，岡本直哉，宮島豊生，吉川俊英 (富士通研)

キーワード：絶縁ゲート型GaN-HEMT、ALD-Al2O3、閾値シフト