[27p-PB1-1~11] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[27p-PB1-8] 低温成長ハーフホイスラーLaPtBi薄膜の電気伝導特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

新美陽平¹，杉本望実¹，^○宮脇哲也¹，深谷直人¹，吉原健彦¹，伊藤孝寛¹，田中信夫²，浅野秀文¹ (名大院工¹，名大エコトピア研²)

キーワード：Topological Insulator、Half-Heusler alloy、LaPtBi