[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[28a-G2-6] △プラズマ後窒化SiGe MOS界面の特性評価 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1C）韓在勲¹，張睿¹，長田剛規²，秦雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

キーワード：SiGe、ECR、プラズマ後窒化