[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-9] 1100nm帯InGaAs量子ドットレーザのMBE成長 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○影山健生^1,2，西研一^1,2，前多泰成¹，武政敬三^1,2，菅原充^1,2，荒川泰彦^2,3 (QDレーザ¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

キーワード：量子ドット、1100nm、半導体レーザ