2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:00 G21 (B5号館 4F-2405)

[28a-G21-4] △流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性の改善 (9:45 AM ~ 10:00 AM)

山根啓輔,岡田成仁,只友一行 (山口大院理工)

キーワード:GaN、HVPE、Substrate