[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-8] △6H-SiC基板上へのAlNのHVPE成長における核形成制御 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○北川慎，三宅秀人，平松和政 (三重大工)

キーワード：窒化物半導体、HVPE、6H-SiC