[28a-G22-1~13] 15.6 IV族系化合物

[28a-G22-10] ECRスパッタ法による(000-1)4H-SiC MOS構造の作製 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○脇英司，小野修一，新井学，山崎王義 (新日本無線)

キーワード：SiC、MOS、界面