[28a-G22-1~13] 15.6 IV族系化合物

[28a-G22-3] 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○原田俊太¹，國松亮太¹，田川美穂¹，山本悠太²，荒井重勇²，田中信夫²，宇治原徹¹ (名大院工¹，名大エコ研²)

キーワード：SiC、パワーデバイス、溶液成長