PDF ダウンロード スケジュール 2 いいね! 0 [28a-G22-9] △4H-SiC Si面微傾斜基板のin-situエッチング条件の検討 (11:15 AM ~ 11:30 AM) ○升本恵子1,2,児島一聡1,2,伊藤佐千子1,2,田村謙太郎1,3,奥村元1,2 (FUPET1,産総研2,ローム3) キーワード:SiC、エピタキシャル、微傾斜