[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-7] ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETおよび不揮発性SRAMセルの性能と設計 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○周藤悠介^1,3,4，山本修一郎^2,3，菅原聡^1,3 (東工大像情報¹，東工大総理工²，科技機構CREST³，神奈川科学技術アカデミー⁴)

キーワード：不揮発性SRAM、スピンMOSFET、パワーゲーティング