[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-8] 擬似スピンMOSFETを用いた不揮発性デュアルポートSRAMセルの提案とNVPG応用 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

山本修一郎¹，^○周藤悠介^2,3，菅原聡^1,2 (東工大院総理工¹，東工大像情報²，神奈川科学技術アカデミー³)

キーワード：不揮発性パワーゲーティング、不揮発性デュアルポートSRAM、ブレークイーブンタイム