[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-6] ▲Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○Ying Jiang^1,2，Qingpeng Wang^1,2，Kentaro Tamai¹，Satoko Shinkai³，Takahiro Miyashita⁴，Shin-Ichi Motoyama⁴，Dejun Wang²，Jin-Ping Ao¹，Yasuo Ohno¹ (The Univ. of Tokushima¹，Dalian Univ. of Tech.²，Kyushu Inst. of Tech.³，SAMCO Inc.⁴)

キーワード：GaN MOSFETs、field isolation、boron ion implantation