2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:45 G11 (B5号館 2F-2205)

[28p-G11-8] ALDにより成膜したAl2O3を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性 (3:45 PM ~ 4:00 PM)

○(B)吉田雄祐,岩田康宏,ジョセフ フリーズマン,久保俊晴,江川孝志 (名工大)

キーワード:ALD、MIS-HEMT