[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-16] Pt/ZnOショットキーフォトダイオードのI-V特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○遠藤治之¹，大橋律男²，阿部貴志¹，高橋強¹，柏葉安兵衛³ (岩手県工技センタ¹，イーエムシー半導体²，岩手大³)

キーワード：Ultraviolet sensor、ZnO、Avalanche Multiplication