2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21.合同セッションK » 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G19 (B5号館 4F-2403)

[28p-G19-2] H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてホモエピタキシャル成長したZnO膜の特性 (2:15 PM ~ 2:30 PM)

竹内智彦,永冨瑛智,山口直也,加藤孝弘,安井寛治 (長岡技科大工)

キーワード:触媒反応生成高エネルギーH2O、ホモエピタキシャル成長