[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-4] H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いて堆積したZnO薄膜の窒素ドープによる影響 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○山口直也，永冨瑛智，竹内智彦，加藤孝弘，安井寛治 (長岡技科大工)

キーワード：ZnO、触媒反応、CVD