[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-5] スパッタ法によりa面Al₂O₃基板上に成長したZnO単結晶層のアニーリング効果 (II) (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○濱田夕慎，高橋昌幸，重野宏豊，田沼秀隆，篠田宏之，六倉信喜 (東京電機大)

キーワード：ZnO