[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-1] ▲｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○張睿¹，林汝静¹，黄博勤¹，田岡紀之^1,2，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，名大院工²)

キーワード：germanium、MOSFET、equivalent oxide thickness