[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-2] 水素アニールによるGe(111)表面の原子レベル平坦化 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○西村知紀^1,2，李忠賢^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

キーワード：平坦化