2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)

[28p-G2-5] Post Metallization Annealingを用いたGeO2絶縁膜改質による水溶性変化 (3:30 PM ~ 3:45 PM)

山口まりな,中谷友哉,岩崎好孝,上野智雄 (東京農工大・工)

キーワード:GeO2、Water Solubility、Post Metalization Annealing