[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-6] ▲Ge基板のラジカル酸化で形成したGeO2膜質の熱処理による変化 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○宋宇振^1,2，李忠賢^1,2，西村智紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海明^1,2 (東京大学大学院¹，JST-CREST²)

キーワード：Chemical shift、GeO2、annealing